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  氧化铝（Al₂O₃）主要特性：导热率适中（≈30 W/m·K），绝缘性好，成本相对低。典型应用：低端至中端功率模块、LED散热基板氮化铝（AlN）：主要特性：高导热率（≈170 W/m·K），热膨胀系数接近硅。典型应用：高功率IGBT、激光二极管、汽车电子。氮化硅（Si₃N₄）‍主要特性：高强度、耐高温，导热率≈70 W/m·K。典型应用：高电流、大功率功率器件。氧化铍（BeO）主要特性：极高导热率（≈200 W/m·K），但毒性较大。典型应用：高端散热需求的射频/微波模块。碳化硅（SiC）主要特性：超高硬度、耐高温、导热率≈120 W/m·K。典型应用：高温功率器件、航空航天。硼氮化物（BN）主要特性：绝缘性极好，导热率≈30 W/m·K。典型应用：需要高绝缘的微波/射频基板。其他陶瓷（如SiC、Si₃N₄等）主要特性：兼具高导热与低热膨胀。典型应用：未来高功率/高频封装方向。结构陶瓷凭借其高绝缘、高热导、尺寸稳定和耐腐蚀等优势，已成为电子元器件中不可或缺的材料，覆盖从基板、封装、散热、绝缘到高频/高温专用部件的全链路需求，并在新兴的 5G、AI、功率电子等领域保持快速增长。